Đánh giá máy tính Samsung SSD 860 EVO

– Ưu điểm: Hiệu xuất tốt, độ bền cao, thiết kế đẹp, giá cả hợp lý

– Nhược điểm: Hầu như không có nhược điểm nào

Samsung là nhà cung cấp SSD lớn nhất trên thế giới và họ có lợi thế về việc sản xuất chip lưu trữ và điểu khiển bộ nhớ Flash NAND. Chúng ta thử xem họ đã tận dụng những gì vào trong sản phẩm mới nhất của mình nhé.

Thông số kỹ thuật, tính năng, hiệu suất hoạt động 

Máy tính Samsung SSD 860 EVO chỉ nặng khoảng 62g, bọc ngoài bằng kim loại nhẹ nhưng thiết kế có vẻ rất đơn giản, không thực sự nổi bật.

SSD 860 Evo và SSD 860 Pro đều sử dụng ổ SSD SATA, nhanh hơn nhiều so với ổ đĩa NVMe.

Samsung SSD 860 sử dụng chip flash 3D  64 lớp gọi là V-NAND. Nhờ đó mà dung lượng của máy được nâng cao hơn.

Sử dụng ổ mSATA bên cạnh 2,5″ truyền thống và M.2 2280, điều này được coi là khá hiếm hiện nay. Đây có thể coi là tin tuyệt vời cho những ai đang muốn nâng cấp máy tính để bàn hoặc xách tay của mình.

4 Mức dung lượng chính trong đó dung lượng thấp nhất là 250 GB. Có thể nói, samsung không muốn hướng tới các thị trường có dung lượng nhỏ làm mục tiêu nữa. Tuy nhiên, M.2 chỉ cho phép tối đa là 2TB và mSATA là 1TB.

Loại flash được sử dụng ở đây là TLC NAND, có nghĩa là ba bit được lưu trữ trên mỗi ô. Mỗi phiên bản của SSD 860 EVO có một bộ nhớ cache LPDDR4 khác nhau có dung lượng lên đến 1TB. Samsung sử dụng bộ điều khiển riêng gọi là MJX, và đây được coi là một trong những chiếc SSD 860 Evo mới được cho là có các thuật toán được cải tiến để giúp máy tính hoạt động nhanh hơn và hiệu quả hơn.

Tốc độ đọc và ghi tuần tự của máy là 550MBps và 520MBps, đây là những gì mà các nhà sản xuất mong muốn. Tuy nhiên nó lại khác xa so với giao thức SATA được sử dụng trong sản phẩm này.

>>>>> Xem thêm các tin tức về máy tính, laptop mới nhất tại đây: https://tinhte.blog/laptop/

Dưới đây là chi tiết các thông số kỹ thuật chính của SSD 860 EVO 

Dung lượng: 250gb , 500gb, 1TB , 2TB , 4TB

Giao tiếp: SATA 6 Gbps

Form: 2,5’’, Msata, M.2 2280

Vi điều khiển: Samsung MJX

NAND: Samsung 3D MLC V-NAND 64 lớp

LPDDR4 D RAM: 512 MB, 1GB, 2GB, 4GB

Bộ đệm ghi SLC: 12GB, 22GB, 42GB, 78GB, 78GB

Đọc tuần tự: Tối đa 560 MB/s

Ghi tuần tự: (với bộ đệm SLC) Tối đa 520 MB/s

Ghi tuần tự: (TLC thuần) 300 MB/s và 500 MB/s

Đọc ngẫu nhiên 4KB: Tối đa 100k IOPS

Ghi ngẫu nhiên 4KB: Tối đa 90k IOPS

Mức điện năng tiêu thụ: 2,5 mW – 7mW

Độ bền TBW: 150 TBW, 300 TBW, 600 TBW, 1200 TBW, 2400 TBW

Theo dõi Tinhte.blog để biết thêm các tin tức mới nhất về máy tính cũng như các thiết bị nghe nhìn khác như điện thoại, may chieu, laptop, máy tính bảng, loa, máy ảnh,…